半导体激光器及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 前田修; 增井勇志; 汐先政贵; 佐藤进; 荒木田孝博 |
| 发表日期 | 2012-11-14 |
| 专利号 | CN101834408B |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光器及其制造方法。该半导体激光器可将激光的偏振方向稳定在一个方向上。该半导体激光器包括层叠结构，该层叠结构包括从衬底侧依次设置的下多层反射镜、有源层和上多层反射镜，其中，层叠结构包括柱形台面部，该柱形台面部包含下多层反射镜的上部、有源层和上多层反射镜，且下多层反射镜包括多对低折射率层和高折射率层以及多个氧化层，该多个氧化层在除了一个或多个低折射率层的中心区域之外的区域中非均匀地分布在围绕台面部的中心轴旋转的方向上。 |
| 公开日期 | 2012-11-14 |
| 申请日期 | 2010-03-03 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93069]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 前田修,增井勇志,汐先政贵,等. 半导体激光器及其制造方法. CN101834408B. 2012-11-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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