氮化物半导体激光器芯片及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山下文雄; 伊藤茂稔; 山本秀一郎; 川上俊之 |
| 发表日期 | 2011-12-07 |
| 专利号 | CN101316026B |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 |
| 英文摘要 | 在一种具有抑制氮化物半导体层上的台阶生成的结构的氮化物半导体激光器芯片中，衬底以(1-100)面为主表面，谐振器端面垂直于主表面，而且，在形成谐振器端面的解理表面中，至少在条带形波导的一边，形成刻入部分，作为朝向氮化物半导体层的表面开口的刻入区域。 |
| 公开日期 | 2011-12-07 |
| 申请日期 | 2008-05-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93075]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山下文雄,伊藤茂稔,山本秀一郎,等. 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法. CN101316026B. 2011-12-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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