一种大功率直调激光器
文献类型：专利
| 作者 | 贾华宇; 赵霞飞; 李灯熬; 罗飚; 刘应军 |
| 发表日期 | 2017-01-11 |
| 专利号 | CN106329314A |
| 著作权人 | 太原理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种大功率直调激光器 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体激光器领域，具体是一种大功率直调激光器。一种大功率直调激光器，该激光器从下到上依次为：N‑InP衬底、N‑InP缓冲层、Al0.24Ga0.23In0.53As包层、Al0.24Ga0.23In0.53As下波导层、有源区、Al0.24Ga0.23In0.53As上波导层、Al0.24Ga0.23In0.53As包层、P‑InP缓冲层、Al0.48In0.52As盖层，有源区势垒层和势阱层的交叉排列，势阱层采用的是AlGaInAs材料，组分为Al0.24Ga0.23In0.53As，厚度为8.0nm，势垒层采用的是InP材料，组分为Al0.0039Ga0.566In0.43As，厚度为3.5nm，有源区量子阱个数为10。本发明激光器阈值电流低，平均增益高，边模抑制比低，输出功率和透明载流子浓度达到高。 |
| 公开日期 | 2017-01-11 |
| 申请日期 | 2016-10-13 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93135]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 太原理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贾华宇,赵霞飞,李灯熬,等. 一种大功率直调激光器. CN106329314A. 2017-01-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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