掺铒硅酸镥激光晶体及其制备方法
文献类型:专利
作者 | 丁雨憧; 赵广军; 董勤; 陈建玉 |
发表日期 | 2011-09-14 |
专利号 | CN102181931A |
著作权人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 掺铒硅酸镥激光晶体及其制备方法 |
英文摘要 | 一种掺铒硅酸镥激光晶体及其制备方法,该晶体的分子式为:(ErxLu1-x)2SiO5,其中x的取值范围为0.005~0.01。采用熔体法生长掺铒硅酸镥激光晶体。本发明掺铒硅酸镥激光晶体可以采用商业化的InP激光二极管和铒光纤激光器作为泵浦光源,并具有大的发射带宽,有利于实现宽的波长调谐。 |
公开日期 | 2011-09-14 |
申请日期 | 2011-03-23 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93148] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 丁雨憧,赵广军,董勤,等. 掺铒硅酸镥激光晶体及其制备方法. CN102181931A. 2011-09-14. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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