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掺铒硅酸镥激光晶体及其制备方法

文献类型:专利

作者丁雨憧; 赵广军; 董勤; 陈建玉
发表日期2011-09-14
专利号CN102181931A
著作权人中国科学院上海光学精密机械研究所
国家中国
文献子类发明申请
其他题名掺铒硅酸镥激光晶体及其制备方法
英文摘要一种掺铒硅酸镥激光晶体及其制备方法,该晶体的分子式为:(ErxLu1-x)2SiO5,其中x的取值范围为0.005~0.01。采用熔体法生长掺铒硅酸镥激光晶体。本发明掺铒硅酸镥激光晶体可以采用商业化的InP激光二极管和铒光纤激光器作为泵浦光源,并具有大的发射带宽,有利于实现宽的波长调谐。
公开日期2011-09-14
申请日期2011-03-23
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93148]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院上海光学精密机械研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
丁雨憧,赵广军,董勤,等. 掺铒硅酸镥激光晶体及其制备方法. CN102181931A. 2011-09-14.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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