激光二极管装置
文献类型：专利
| 作者 | 乌韦·施特劳斯; 森克·陶茨; 艾尔弗雷德·莱尔; 卡斯滕·奥恩; 克莱门斯·菲尔海利希 |
| 发表日期 | 2016-01-06 |
| 专利号 | CN103326233B |
| 著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 激光二极管装置 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种激光二极管装置，其具有：壳体（1），该壳体具有壳体部件（10）和与壳体部件（10）连接的安装部件（11），该安装部件沿着延伸方向（110）背离壳体部件（10）地延伸；和在安装部件（11）上的激光二极管芯片（2），所述激光二极管芯片在衬底（20）上具有半导体层（21，22，23，24，26），该半导体层具有用于放射光的有源层（23），其中壳体部件（10）和安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少壳体部件（10）是钢包封的，并且在激光二极管芯片（2）与安装部件（11）之间设置有厚度大于或等于3μm的第一焊料层（3）。 |
| 公开日期 | 2016-01-06 |
| 申请日期 | 2013-03-19 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93149]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 乌韦·施特劳斯,森克·陶茨,艾尔弗雷德·莱尔,等. 激光二极管装置. CN103326233B. 2016-01-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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