Homoepitaxial growth of multiple 4H-SiC wafers assembled in a simple holder via conventional chemical vapor deposition
文献类型：期刊论文
| 作者 | X.F. Liu ; G.G. Yan ; Z.W. Shen ; Z.X. Wen ; J. Chen ; Y.W. He ; W.S. Zhao ; L. Wang ; M. Guan ; F. Zhang ; G.S. Sun ; Y.P. Zeng |
| 刊名 | Journal of Crystal Growth
 |
| 出版日期 | 2019 |
| 卷号 | 507页码:283-287 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/29559]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | X.F. Liu ; G.G. Yan ; Z.W. Shen ; Z.X. Wen ; J. Chen ; Y.W. He ; W.S. Zhao ; L. Wang ; M. Guan ; F. Zhang ; G.S. Sun ; Y.P. Zeng ;. Homoepitaxial growth of multiple 4H-SiC wafers assembled in a simple holder via conventional chemical vapor deposition[J]. Journal of Crystal Growth,2019,507:283-287. |
| APA | X.F. Liu ; G.G. Yan ; Z.W. Shen ; Z.X. Wen ; J. Chen ; Y.W. He ; W.S. Zhao ; L. Wang ; M. Guan ; F. Zhang ; G.S. Sun ; Y.P. Zeng ;.(2019).Homoepitaxial growth of multiple 4H-SiC wafers assembled in a simple holder via conventional chemical vapor deposition.Journal of Crystal Growth,507,283-287. |
| MLA | X.F. Liu ; G.G. Yan ; Z.W. Shen ; Z.X. Wen ; J. Chen ; Y.W. He ; W.S. Zhao ; L. Wang ; M. Guan ; F. Zhang ; G.S. Sun ; Y.P. Zeng ;."Homoepitaxial growth of multiple 4H-SiC wafers assembled in a simple holder via conventional chemical vapor deposition".Journal of Crystal Growth 507(2019):283-287. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。