Improvement of fast homoepitaxial growth and defect reduction techniques of thick 4H-SiC epilayers
文献类型：期刊论文
| 作者 | G.G. Yan ; X.F. Liu ; Z.W. Shen ; Z.X. Wen ; J. Chen ; W.S. Zhao ; L. Wang ; F. Zhang ; X.H. Zhang ; X.G. Li ; G.S. Sun ; Y.P. Zeng ; Z.G. Wang |
| 刊名 | Journal of Crystal Growth
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| 出版日期 | 2019 |
| 卷号 | 55页码:1-4 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/29681]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | G.G. Yan ; X.F. Liu ; Z.W. Shen ; Z.X. Wen ; J. Chen ; W.S. Zhao ; L. Wang ; F. Zhang ; X.H. Zhang ; X.G. Li ; G.S. Sun ; Y.P. Zeng ; Z.G. Wang. Improvement of fast homoepitaxial growth and defect reduction techniques of thick 4H-SiC epilayers[J]. Journal of Crystal Growth,2019,55:1-4. |
| APA | G.G. Yan ; X.F. Liu ; Z.W. Shen ; Z.X. Wen ; J. Chen ; W.S. Zhao ; L. Wang ; F. Zhang ; X.H. Zhang ; X.G. Li ; G.S. Sun ; Y.P. Zeng ; Z.G. Wang.(2019).Improvement of fast homoepitaxial growth and defect reduction techniques of thick 4H-SiC epilayers.Journal of Crystal Growth,55,1-4. |
| MLA | G.G. Yan ; X.F. Liu ; Z.W. Shen ; Z.X. Wen ; J. Chen ; W.S. Zhao ; L. Wang ; F. Zhang ; X.H. Zhang ; X.G. Li ; G.S. Sun ; Y.P. Zeng ; Z.G. Wang."Improvement of fast homoepitaxial growth and defect reduction techniques of thick 4H-SiC epilayers".Journal of Crystal Growth 55(2019):1-4. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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