基于InAs/GaSb二类超晶格结构的多光子吸收以及雪崩光电探测器的研究
文献类型:学位论文
作者 | 赵成城 |
答辩日期 | 2020-05 |
文献子类 | 博士 |
授予单位 | 中国科学院大学 |
授予地点 | 中国科学院半导体研究所 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/29703] |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵成城. 基于InAs/GaSb二类超晶格结构的多光子吸收以及雪崩光电探测器的研究[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学. 2020. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。