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一种基于OLED光提取的超薄金属透明电极的OLED制造方法

文献类型:专利

作者史浩飞; 姬乙雄; 杨俊; 罗伟; 汤林龙; 白向兴; 魏兴战; 陆仕荣
发表日期2020-01-14
专利号2017102062788
著作权人中国科学院重庆绿色智能技术研究院
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明涉及有机发光二极管领域,具体地涉及一种基于OLED光提取的超薄金属透明电极的OLED制造方法,包括分布有纳米凸起结构的柔性透明基底以及位于柔性透明基底之上的多层电极结构,所述多层电极结构自下而上包括:柔性透明基底上的种子层、位于种子层上的超薄金属层、超薄金属层上的减反增透层。因其随机分布纳米结构的存在,有效降低了全反射,耦合出了被局限在OLED结构中的部分波导模式和表面等离子体模式,实现了较无光提取结构OLED器件出光效率大幅度提升,并且提出的纳米结构制作方法兼容于大面积或者精细小面积的制备过程。 

分类号H01L51/52(2006.01)I
申请日期2017-03-31
语种中文
状态已授权
源URL[http://119.78.100.138/handle/2HOD01W0/9732]  
专题微纳制造与系统集成研究中心
作者单位中国科学院重庆绿色智能技术研究院
推荐引用方式
GB/T 7714
史浩飞,姬乙雄,杨俊,等. 一种基于OLED光提取的超薄金属透明电极的OLED制造方法. 2017102062788. 2020-01-14.

入库方式: OAI收割

来源:重庆绿色智能技术研究院

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