Improved Figure of Merit of Cu2SnSe3 via Band Structure Modification and Energy-Dependent Carrier Scattering
文献类型：期刊论文
| 作者 | Hongwei Ming; Chen Zhu; Xiaoying Qin ; Jian Zhang; Di Li; Baoli Zhang; Tao Chen; Jimin Li; Xunuo Lou; Hongxin Xin
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| 刊名 | ACS Appl. Mater. Interfaces
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| 出版日期 | 2020 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/42705]  |
| 专题 | 合肥物质科学研究院_中科院固体物理研究所 中科院固体物理研究所_专题未命名 |
| 作者单位 | 中科院固体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Hongwei Ming,Chen Zhu,Xiaoying Qin,et al. Improved Figure of Merit of Cu2SnSe3 via Band Structure Modification and Energy-Dependent Carrier Scattering[J]. ACS Appl. Mater. Interfaces,2020. |
| APA | Hongwei Ming.,Chen Zhu.,Xiaoying Qin.,Jian Zhang.,Di Li.,...&Hongxin Xin.(2020).Improved Figure of Merit of Cu2SnSe3 via Band Structure Modification and Energy-Dependent Carrier Scattering.ACS Appl. Mater. Interfaces. |
| MLA | Hongwei Ming,et al."Improved Figure of Merit of Cu2SnSe3 via Band Structure Modification and Energy-Dependent Carrier Scattering".ACS Appl. Mater. Interfaces (2020). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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