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对称量子点花样体系电容谱

文献类型:期刊论文

作者戴振宏2; 孙金祚3; 张立德2; 隋鹏飞3; 黄士勇3; 卢卯旺2
刊名中国科学:G辑
出版日期2003
卷号033
关键词对称量子点花样体系 电容谱 量子力学 从头计算 人工刻蚀 UHFR 多电子态 纳米科学 半导体器件 制作工艺
ISSN号1672-1780
英文摘要利用从头计算方法,即基于Gauss基函数的非限制Hartree-Fock-Roothaan(UHFR)方程,计算对称多量子点花样体系的基态能,进而研究它们的电子电容谱。量子点花样中的每一个量子点,采用球形有限深限制势阱。结果表明,计算方法和理论模型不仅能够很好地给出类单量子点的s-壳层和p-壳层的电容峰,并且给出了对称量子点花样体系电容谱一些新的精细结构。它将成为研究对称量子点花样体系少电子问题的一种有效可行的方法。
语种中文
CSCD记录号CSCD:1299956
源URL[http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/48638]  
专题中国科学院合肥物质科学研究院
作者单位1.烟台大学物理系
2.中国科学院固体物理研究所
3.烟台大学物理系
4.中国科学院固体物理研究所
5.烟台大学物理系
6.中国科学院固体物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
戴振宏,孙金祚,张立德,等. 对称量子点花样体系电容谱[J]. 中国科学:G辑,2003,033.
APA 戴振宏,孙金祚,张立德,隋鹏飞,黄士勇,&卢卯旺.(2003).对称量子点花样体系电容谱.中国科学:G辑,033.
MLA 戴振宏,et al."对称量子点花样体系电容谱".中国科学:G辑 033(2003).

入库方式: OAI收割

来源:合肥物质科学研究院

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