离子辐照纳米Si3N4量子点的表面分析与蓝光增强机理研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张红兵1; 李道火1 |
| 刊名 | 量子电子学报
 |
| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 019 |
| 关键词 | 离子辐照 蓝光增强机理 纳米 氮化硅 量子点 |
| ISSN号 | 1007-5461 |
| 其他题名 | Surface Property and Enhacement Mechanism of Blue-light Emission of Ion Injecting Si_3N_4 quantum Dots |
| 英文摘要 | 本文对N^+离子辐照纳米氮化硅量子点的表面特性进行了测试、分析，对离子辐照后量子点蓝光发射显著增强这一现象给出了解释。FTIR测试发现，辐照使Si-N键结合峰增强，说明辐照后Si-N键合数增加，而其它峰未发生变化。XPS全谱表明，量子点中的氧主要集中在其表面，辐照使量子点表面的氧含量增加，进一步通过XPS芯态能谱测试发现，辐照使表面的氧、硅由吸附态转化成结合态。我们认为SiO2/Si3N4界面中的激子模型可以解释量子点蓝光增强现象，界面层激子效应是蓝光发射增强效应产生的根源。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:1016506 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/48663]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 作者单位 | 1.中国科学院安徽光学精密机械研究所 2.中国科学院安徽光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张红兵,李道火. 离子辐照纳米Si3N4量子点的表面分析与蓝光增强机理研究[J]. 量子电子学报,2002,019. |
| APA | 张红兵,&李道火.(2002).离子辐照纳米Si3N4量子点的表面分析与蓝光增强机理研究.量子电子学报,019. |
| MLA | 张红兵,et al."离子辐照纳米Si3N4量子点的表面分析与蓝光增强机理研究".量子电子学报 019(2002). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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