感应耦合等离子体增强射频磁控溅射沉积ZrN薄膜及其性能研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘峰4 ; 孟月东4; 任兆杏4; 舒兴胜4
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 057 |
| 关键词 | 感应耦合等离子体 磁控溅射 ZrN薄膜 微结构 性能 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 其他题名 | Characterization of ZrN films deposited by ICP enhanced RF magnetron sputtering |
| 英文摘要 | 利用感应耦合等离子体（ICP）增强射频磁控溅射技术在Si（111）片和M2钢表面制备了ZrN薄膜,研究了基片的温度和ICP功率对ZrN薄膜的结构以及性能影响.研究发现：在基片温度≤300℃沉积的ZrN薄膜择优取向为（111）;基片温度达到450℃时薄膜出现ZrN（200）衍射峰,ZrN（111）晶面的织构系数明显降低.传统磁控溅射沉积薄膜为柱状结构,当ICP为200W,基片温度为300℃时沉积薄膜中柱状晶体消失;随着基片温度的升高,N/Zr元素比例降低,并且薄膜的电阻率下降;相对于传统溅射,ICP增强射频磁控溅射沉积薄膜的结构更加致密,硬度提高,应力降低. |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:3257745 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/50483]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 作者单位 | 1.中国科学院等离子体物理研究所 2.中国科学院等离子体物理研究所 3.中国科学院等离子体物理研究所 4.中国科学院等离子体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘峰,孟月东,任兆杏,等. 感应耦合等离子体增强射频磁控溅射沉积ZrN薄膜及其性能研究[J]. 物理学报,2008,057. |
| APA | 刘峰,孟月东,任兆杏,&舒兴胜.(2008).感应耦合等离子体增强射频磁控溅射沉积ZrN薄膜及其性能研究.物理学报,057. |
| MLA | 刘峰,et al."感应耦合等离子体增强射频磁控溅射沉积ZrN薄膜及其性能研究".物理学报 057(2008). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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