Al_2O_3缓冲层对以ZnO∶Al为阳极的有机电致发光器件性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 姚 宁4; 邢宏伟4; 穆慧慧4; 崔娜娜4; 葛亚爽4; 王英俭4 ; 张兵临4
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| 刊名 | 真空科学与技术学报
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 031 |
| 关键词 | 掺铝氧化锌 缓冲层 Al2O3 有机电致发光器件 |
| ISSN号 | 1672-7126 |
| 其他题名 | Al_2O_3 Buffer Layers and Characteristics of Organic Light Emitting Devices Made of Al-Doped ZnO Films |
| 英文摘要 | 采用直流磁控溅射法制备ZnO∶Al（AZO）透明导电薄膜,薄膜电阻率为5.3×10-4Ω.cm,可见光区平均透过率大于85%。采用施加缓冲层的方法,在AZO和NPB之间加入一层Al2O3绝缘薄膜,提高了AZO阳极有机电致发光器件的性能,分析了Al2O3缓冲层的作用机理。结果表明施加1.5 nm缓冲层后器件的电流效率是单纯AZO阳极器件的3.4倍,同时也高于传统ITO器件。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:4178451 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/51070]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 作者单位 | 1.郑州大学物理工程学院 2.中国科学院安徽光学精密机械研究所 3.郑州大学物理工程学院 4.中国科学院安徽光学精密机械研究所 5.郑州大学物理工程学院 6.郑州大学物理工程学院 7.郑州大学物理工程学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姚 宁,邢宏伟,穆慧慧,等. Al_2O_3缓冲层对以ZnO∶Al为阳极的有机电致发光器件性能的影响[J]. 真空科学与技术学报,2011,031. |
| APA | 姚 宁.,邢宏伟.,穆慧慧.,崔娜娜.,葛亚爽.,...&张兵临.(2011).Al_2O_3缓冲层对以ZnO∶Al为阳极的有机电致发光器件性能的影响.真空科学与技术学报,031. |
| MLA | 姚 宁,et al."Al_2O_3缓冲层对以ZnO∶Al为阳极的有机电致发光器件性能的影响".真空科学与技术学报 031(2011). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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