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托卡马克等离子体电流爬升阶段逃逸电子行为

文献类型:期刊论文

作者卢洪伟2; 胡立群3; 林士耀3; 周瑞杰3; 罗家融2; 钟方川2
刊名强激光与粒子束
出版日期2011
卷号023
关键词托卡马克 电流爬升 逃逸电子 阈值速度 密度
ISSN号1001-4322
其他题名Runaway electron behaviors in current ramp-up phase in Tokamak
英文摘要分析了电流爬升阶段等离子体密度和电流爬升率对逃逸电子行为的影响,研究了低杂波辅助电流驱动条件下的逃逸电子辐射行为。结果发现:电流爬升阶段等离子体密度的大小严重影响了电流爬升阶段甚至电流平顶阶段逃逸电子的行为,较低的等离子体密度将会导致放电过程中比较强的逃逸电子辐射;低能逃逸电子辐射随着电流爬升率的增大而增强;低杂波辅助电流爬升可以有效地节约装置的伏秒数;降低放电过程中的环电压,可有效抑制逃逸电子的产生。
语种中文
CSCD记录号CSCD:4307272
源URL[http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/52046]  
专题中国科学院合肥物质科学研究院
作者单位1.中国科学院等离子体物理研究所
2.东华大学应用物理系
3.中国科学院等离子体物理研究所
4.中国科学院等离子体物理研究所
5.东华大学应用物理系
6.东华大学应用物理系
推荐引用方式
GB/T 7714
卢洪伟,胡立群,林士耀,等. 托卡马克等离子体电流爬升阶段逃逸电子行为[J]. 强激光与粒子束,2011,023.
APA 卢洪伟,胡立群,林士耀,周瑞杰,罗家融,&钟方川.(2011).托卡马克等离子体电流爬升阶段逃逸电子行为.强激光与粒子束,023.
MLA 卢洪伟,et al."托卡马克等离子体电流爬升阶段逃逸电子行为".强激光与粒子束 023(2011).

入库方式: OAI收割

来源:合肥物质科学研究院

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