氮化镓材料中深能级中心光离化谱测试与分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 尹志军1; 王莹2; 李素云2 |
| 刊名 | 光谱学与光谱分析
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 000 |
| 关键词 | 光离化谱 氮化镓 深能级中心 晶格弛豫 |
| ISSN号 | 1000-0593 |
| 其他题名 | Photoionization Spectrum Measurement and Analysis of Deep Level in GaN Epilayers |
| 英文摘要 | 设计了一种可用于测试氮化镓材料深能级中心光离化截面的光谱测试方法,该方法建立在使用PID技术控制氮化镓样品中光电流变化为恒定值的基础上,结合光电流测试、霍尔效应、光强度测试等实验手段给出深能级中心光离化截面的实际值。使用该方法得到的光离化截面测试误差同光电探测器对不同入射光子的响应能力有关,光离化截面测试误差随入射光子能量增加不断增大,在入射光子能量较高的情况下,光离化截面测试误差约为8%。对氮化镓材料深能级中心光离化谱分析发现,即使在入射光子能量小于深能级同导带之间能量差2.85eV的情况下,深能级中心仍能在一定程度上吸收该能量的入射光子,表明深能级中心缺陷同周围晶格产生一定程度的耦合。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:3897926 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/54224]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 作者单位 | 1.中国科学院固体物理研究所 2.安徽大学电子科学与技术学院 3.安徽大学电子科学与技术学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尹志军,王莹,李素云. 氮化镓材料中深能级中心光离化谱测试与分析[J]. 光谱学与光谱分析,2010,000. |
| APA | 尹志军,王莹,&李素云.(2010).氮化镓材料中深能级中心光离化谱测试与分析.光谱学与光谱分析,000. |
| MLA | 尹志军,et al."氮化镓材料中深能级中心光离化谱测试与分析".光谱学与光谱分析 000(2010). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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