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N^+注入对甘草种子萌发和根发育效应及作用机制

文献类型:期刊论文

作者魏胜林1; 刘竞男2; 王陶2; 张婉2; 余增亮2
刊名草业学报
出版日期2004
卷号013
关键词离子注入 甘草 种子萌发 根发育 耐旱特性
ISSN号1004-5759
其他题名Effects of nitrogen ion implantation on seed germination and root development in Glycyrrhiza uralensis and possible mechanism
英文摘要甘草种子注入25keV,剂量≤4.68×10^16个/cm^2N^+对种子萌发的成活率和根发育表现为刺激效应,更高剂量的N^+注入表现出“损伤-修复-损伤”的效应趋势,表明离子注入的能量沉积和动量传递效应产生的自由基伤害与质量沉积和电荷的中和效应对自由基的清除是一个动态反应过程。25keV,4.68×10^16个/cm^2N^+注入能提高甘草种子萌发成活率,促进根发育,提高幼苗的耐旱特性,可用于沙漠植被甘草种子的前处理。
语种中文
CSCD记录号CSCD:1616963
源URL[http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/54280]  
专题中国科学院合肥物质科学研究院
作者单位1.安徽农业大学
2.中国科学院等离子体物理研究所
3.中国科学院等离子体物理研究所
4.中国科学院等离子体物理研究所
5.中国科学院等离子体物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
魏胜林,刘竞男,王陶,等. N^+注入对甘草种子萌发和根发育效应及作用机制[J]. 草业学报,2004,013.
APA 魏胜林,刘竞男,王陶,张婉,&余增亮.(2004).N^+注入对甘草种子萌发和根发育效应及作用机制.草业学报,013.
MLA 魏胜林,et al."N^+注入对甘草种子萌发和根发育效应及作用机制".草业学报 013(2004).

入库方式: OAI收割

来源:合肥物质科学研究院

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