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金刚石薄膜负偏压形核的边缘效应

文献类型:期刊论文

作者王传新1; 王建华2; 马志斌2; 满卫东1; 王升高1; 康志成1
刊名高压物理学报
出版日期2003
卷号017
关键词金刚石薄膜 负偏压形核 边缘效应 微波等离子体化学气相沉积 甲烷浓度 偏压大小 异质外延
ISSN号1000-5773
其他题名Brim Effect of Negative Bias-Enhanced Nucleation of Diamond Film on Silicon Substrate
英文摘要在微波等离子体化学气相沉积装置中,研究了金刚石薄膜在Si(100)面上的负偏压形核行为,结果表明,偏压大小对金刚石的形核均匀性有显著影响,而甲烷浓度主要影响形核时间,对金刚石的最大核密度影响不大。在硅片尺寸小于钼支撑架时,形核行为存在明显的边缘效应,即在偏压值低于--150V时,硅片边缘金刚石核密度急剧降低,远低于硅片中央;在甲烷浓度比较低时,硅片边缘核密度要高于中间。研究表明,造成这种现象的主要原因是硅片下的钼支撑架发射电子所致,过量的原子H对金刚石的形核是不利的。
语种中文
CSCD记录号CSCD:1307798
源URL[http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/56824]  
专题中国科学院合肥物质科学研究院
作者单位1.中国科学院等离子体物理研究所
2.武汉化工学院
3.武汉化工学院
4.中国科学院等离子体物理研究所
5.中国科学院等离子体物理研究所
6.中国科学院等离子体物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
王传新,王建华,马志斌,等. 金刚石薄膜负偏压形核的边缘效应[J]. 高压物理学报,2003,017.
APA 王传新,王建华,马志斌,满卫东,王升高,&康志成.(2003).金刚石薄膜负偏压形核的边缘效应.高压物理学报,017.
MLA 王传新,et al."金刚石薄膜负偏压形核的边缘效应".高压物理学报 017(2003).

入库方式: OAI收割

来源:合肥物质科学研究院

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