金刚石薄膜负偏压形核的边缘效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王传新1; 王建华2; 马志斌2; 满卫东1; 王升高1; 康志成1 |
| 刊名 | 高压物理学报
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 017 |
| 关键词 | 金刚石薄膜 负偏压形核 边缘效应 微波等离子体化学气相沉积 甲烷浓度 偏压大小 异质外延 |
| ISSN号 | 1000-5773 |
| 其他题名 | Brim Effect of Negative Bias-Enhanced Nucleation of Diamond Film on Silicon Substrate |
| 英文摘要 | 在微波等离子体化学气相沉积装置中，研究了金刚石薄膜在Si(100)面上的负偏压形核行为，结果表明，偏压大小对金刚石的形核均匀性有显著影响，而甲烷浓度主要影响形核时间，对金刚石的最大核密度影响不大。在硅片尺寸小于钼支撑架时，形核行为存在明显的边缘效应，即在偏压值低于--150V时，硅片边缘金刚石核密度急剧降低，远低于硅片中央；在甲烷浓度比较低时，硅片边缘核密度要高于中间。研究表明，造成这种现象的主要原因是硅片下的钼支撑架发射电子所致，过量的原子H对金刚石的形核是不利的。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:1307798 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/56824]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 作者单位 | 1.中国科学院等离子体物理研究所 2.武汉化工学院 3.武汉化工学院 4.中国科学院等离子体物理研究所 5.中国科学院等离子体物理研究所 6.中国科学院等离子体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王传新,王建华,马志斌,等. 金刚石薄膜负偏压形核的边缘效应[J]. 高压物理学报,2003,017. |
| APA | 王传新,王建华,马志斌,满卫东,王升高,&康志成.(2003).金刚石薄膜负偏压形核的边缘效应.高压物理学报,017. |
| MLA | 王传新,et al."金刚石薄膜负偏压形核的边缘效应".高压物理学报 017(2003). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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