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InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器光电特性理论计算

文献类型:期刊论文

作者史衍丽1; 李凡1; 赵鲁生1; 徐文2
刊名红外与激光工程
出版日期2011
卷号040
关键词InAs/GaSbⅡ类超晶格 第三代红外探测器 Kronig-Penney方法 质量和动量平衡方程
ISSN号1007-2276
其他题名Photoelectric properties of InAs/GaSb type-Ⅱ superlattices
英文摘要InAs/GaSbⅡ类超晶格是目前国际上公认的制备第三代高性能红外探测器的理想材料之一,具有能带结构可调、波长响应范围宽、量子效率高、利于实现大面积焦平面阵列等独特优势。为了充分利用这一材料的优点,对材料进行优化设计,采用Kronig-Penney模型对材料的能带结构进行了理论计算;同时,利用输运理论的质量和动量平衡方程对材料的光电导特性进行了计算分析,探讨了这类材料进行非制冷探测的优势。计算结果对深入认识该类材料的光电特性,从而对材料及器件进行优化设计具有重要的指导意义。
语种中文
CSCD记录号CSCD:4267502
源URL[http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/93125]  
专题中国科学院合肥物质科学研究院
作者单位1.昆明物理研究所
2.昆明物理研究所
3.昆明物理研究所
4.中国科学院固体物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
史衍丽,李凡,赵鲁生,等. InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器光电特性理论计算[J]. 红外与激光工程,2011,040.
APA 史衍丽,李凡,赵鲁生,&徐文.(2011).InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器光电特性理论计算.红外与激光工程,040.
MLA 史衍丽,et al."InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器光电特性理论计算".红外与激光工程 040(2011).

入库方式: OAI收割

来源:合肥物质科学研究院

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