KH2PO4中电子或空穴辅助下的氢缺陷反应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘长松1 ; Kioussis Nicholas2
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| 刊名 | 物理
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| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 033 |
| 关键词 | 氢缺陷 磷酸二氢钾 非线性光学 KDP 缺陷反应 晶体材料 带隙宽度 |
| ISSN号 | 0379-4148 |
| 其他题名 | Electron--or hole—-assisted reactions of H defects in KH_2PO_4 |
| 英文摘要 | 研究了非线性光学晶体材料KH2PO4(KDP)中不同带电状态的H缺陷的稳定性及其反应．从而以清晰的物理图像描绘了KDP材料暴露在强紫外线或X射线下性能下降的原因．研究发现，对于H间隙原子，当增加一个电子时，H间隙原子与主H原子发生作用，形成间隙H2分子并产生一个H空位，而增加一个空穴时H间隙原子与临近的主O原子形成氢氧键，这两种带电态的H间隙原子均切断KDP材料中形成网络的氢键；对于H空位，增加一个空穴将导致形成“过氧化氢”桥结构．这些结果在原子层次上清楚地解释了实验所建议的缺陷反应机制。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:1361582 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/93210]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 作者单位 | 1.中国科学院固体物理研究所 2.Department of Physics, California State University |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘长松,Kioussis Nicholas. KH2PO4中电子或空穴辅助下的氢缺陷反应[J]. 物理,2004,033. |
| APA | 刘长松,&Kioussis Nicholas.(2004).KH2PO4中电子或空穴辅助下的氢缺陷反应.物理,033. |
| MLA | 刘长松,et al."KH2PO4中电子或空穴辅助下的氢缺陷反应".物理 033(2004). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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