ZnGa2O4纳米晶的制备和结构表征
文献类型：期刊论文
| 作者 | 焦正1; 刘锦淮2 ; 边历峰2; 钱逸泰1
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| 刊名 | 功能材料
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| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 033 |
| 关键词 | ZnGa2O4 纳米晶 制备 结构表征 化学共沉淀 |
| ISSN号 | 1001-9731 |
| 其他题名 | The preparation of nano ZnGa_2O_4 and its structure characteristics |
| 英文摘要 | 采用喷射共沉淀法制备了ZnGa2O4 纳米晶，XRD、SEM和TEM结构分析结果表明，喷射共沉淀法制备的ZnGa2O4的纳米晶颗粒细小均匀，形状完整，与化学共沉淀法相比，粒子尺寸明显减小，小于10nm，同时ZnO杂相峰消失，分析了喷射共沉淀法的机理，并对实验结果进行了解释。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:1074172 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/93488]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 作者单位 | 1.中国科学技术大学化学系 2.中国科学院合肥智能机械研究所 3.中国科学院合肥智能机械研究所 4.中国科学技术大学化学系 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 焦正,刘锦淮,边历峰,等. ZnGa2O4纳米晶的制备和结构表征[J]. 功能材料,2002,033. |
| APA | 焦正,刘锦淮,边历峰,&钱逸泰.(2002).ZnGa2O4纳米晶的制备和结构表征.功能材料,033. |
| MLA | 焦正,et al."ZnGa2O4纳米晶的制备和结构表征".功能材料 033(2002). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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