金刚石薄膜异质外延的研究进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王传新1; 汪建华2; 满卫东2; 马志斌2; 王生高1; 康志成1 |
| 刊名 | 真空与低温
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| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 008 |
| 关键词 | 金刚石薄膜 异质外延 CVD 半导体材料 偏压形核 生长控制 外延生长 |
| ISSN号 | 1006-7086 |
| 其他题名 | Development of researches on heteroepitaxy diamond films |
| 英文摘要 | 主要介绍金刚石薄膜在Si上异质外延的研究状况。综述了外延金刚石薄膜的偏压形核，SiC过渡层的影响及一些实验参数对外延薄膜质量的影响等，并论述了发展方向。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:1394769 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/95934]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 作者单位 | 1.中国科学院等离子体物理研究所 2.武汉化工学院材料科学与工程系 3.武汉化工学院材料科学与工程系 4.武汉化工学院材料科学与工程系 5.中国科学院等离子体物理研究所 6.中国科学院等离子体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王传新,汪建华,满卫东,等. 金刚石薄膜异质外延的研究进展[J]. 真空与低温,2002,008. |
| APA | 王传新,汪建华,满卫东,马志斌,王生高,&康志成.(2002).金刚石薄膜异质外延的研究进展.真空与低温,008. |
| MLA | 王传新,et al."金刚石薄膜异质外延的研究进展".真空与低温 008(2002). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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