掺Sn对定向凝固多晶硅位错及少子寿命的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 何秋湘1; 李京伟1 ; 孙继飞1; 白枭龙1; 熊震2; 陈健1
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| 刊名 | 人工晶体学报
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| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 45 |
| 关键词 | 位错 少子寿命 多晶硅 定向凝固 |
| ISSN号 | 1000-985X |
| 其他题名 | Effect of Sn Doping on Dislocation and Minority Carrier Lifetime of Directional Solidified mc-Si |
| 英文摘要 | 通过微合金化获取高性能多晶硅,研究了不同Sn掺入量对定向凝固多晶硅位错及少子寿命的影响。将高纯Sn掺入到精炼冶金级硅(UMG-Si)中,定向凝固多晶硅。研究发现,硅锭位错密度沿轴向分布为中间低,底部和顶部高。在晶体硅中掺入Sn后,不影响硅的电学性能,但明显减少硅锭的位错密度。当掺入Sn含量为20 ppmw、50 ppmw和100 ppmw时,硅锭平均少子寿命由未掺Sn硅锭的0.81 μs分别增加至1.22 μs、1.47 μs和1.31 μs。掺Sn可减少位错密度和增加少子寿命,归因于替代位的Sn原子引入晶格应力, Sn易捕获空位V形成Sn-V对,抑制间隙原子形核。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:5743656 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/96558]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 作者单位 | 1.中国科学院合肥物质科学研究院应用技术研究所 2.中国科学院合肥物质科学研究院应用技术研究所 3.中国科学院合肥物质科学研究院应用技术研究所 4.中国科学院合肥物质科学研究院应用技术研究所 5.常州天合光能有限公司 6.中国科学院合肥物质科学研究院应用技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何秋湘,李京伟,孙继飞,等. 掺Sn对定向凝固多晶硅位错及少子寿命的影响[J]. 人工晶体学报,2016,45. |
| APA | 何秋湘,李京伟,孙继飞,白枭龙,熊震,&陈健.(2016).掺Sn对定向凝固多晶硅位错及少子寿命的影响.人工晶体学报,45. |
| MLA | 何秋湘,et al."掺Sn对定向凝固多晶硅位错及少子寿命的影响".人工晶体学报 45(2016). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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