SiC缓冲层对Si表面生长的ZnO薄膜结构和光电性能的改善
文献类型：期刊论文
| 作者 | 康朝阳1; 赵朝阳1; 刘峥嵘1; 孙柏2; 唐军1; 徐彭寿1; 谢家纯1 |
| 刊名 | 发光学报
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 030 |
| 关键词 | ZnO薄膜 Si（111）衬底 SiC缓冲层 光电性能 |
| ISSN号 | 1000-7032 |
| 其他题名 | Improvement of the Structure and Photoelectrical Properties of ZnO Films Based on SiC Buffer Layer Grown on Si（111） |
| 英文摘要 | 用脉冲激光沉积（PLD）技术制备了ZnO/SiC/Si和ZnO/Si薄膜并制成了紫外探测器。利用X射线衍射（XRD）,光致发光（PL）谱,I-V曲线和光电响应谱对薄膜的结构和光电性能进行了研究。实验结果表明：SiC缓冲层改善了ZnO薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是SiC作为柔性衬底能够减少ZnO与Si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面态。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:3784275 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/96590]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 作者单位 | 1.中国科学技术大学 2.中国科学技术大学 3.中国科学技术大学物理系 4.中国科学院合肥智能机械研究所 5.中国科学技术大学 6.中国科学技术大学 7.中国科学技术大学物理系 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 康朝阳,赵朝阳,刘峥嵘,等. SiC缓冲层对Si表面生长的ZnO薄膜结构和光电性能的改善[J]. 发光学报,2009,030. |
| APA | 康朝阳.,赵朝阳.,刘峥嵘.,孙柏.,唐军.,...&谢家纯.(2009).SiC缓冲层对Si表面生长的ZnO薄膜结构和光电性能的改善.发光学报,030. |
| MLA | 康朝阳,et al."SiC缓冲层对Si表面生长的ZnO薄膜结构和光电性能的改善".发光学报 030(2009). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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