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N^+注入对甘草幼苗部分耐旱特征效应的研究

文献类型:期刊论文

作者魏胜林1; 张祥胜1
刊名核技术
出版日期2004
卷号027
关键词N注入 甘草 根发育 耐旱特征
ISSN号0253-3219
其他题名Studies on effect of N+ ion beam implantation on some drought tolerant characteristics of liquorice seedlings (Glycyrrhiza uralensis Fisch)
英文摘要植物幼苗主根、侧根及下胚轴的生长和根冠比值的大小是幼苗耐旱的重要特征。对甘草干种子注入能量为25kcV、注量为600×2.6×10^13-3600×2.6×10^13/cm^2的N^+,其中1800×2.6×10^13/cm^2的N^+注入量能有效提高甘草6d幼苗的主根生长和30d幼苗根冠比干重和鲜重,促进侧根发生;也能明显刺激6d和30d幼苗的下胚轴和主根、茎高的生长。该参数可以作为沙漠化地区建立甘草植被发挥离子束注入当代效应的N^+辐照的能量、注量的参考参数。在实验注入N^+的参数范围内甘草幼苗耐旱特征的应答也表现出“损伤一修复一损伤”效应。
语种中文
CSCD记录号CSCD:1674474
源URL[http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/96838]  
专题中国科学院合肥物质科学研究院
作者单位1.中国科学院等离子体物理研究所
2.中国科学院等离子体物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
魏胜林,张祥胜. N^+注入对甘草幼苗部分耐旱特征效应的研究[J]. 核技术,2004,027.
APA 魏胜林,&张祥胜.(2004).N^+注入对甘草幼苗部分耐旱特征效应的研究.核技术,027.
MLA 魏胜林,et al."N^+注入对甘草幼苗部分耐旱特征效应的研究".核技术 027(2004).

入库方式: OAI收割

来源:合肥物质科学研究院

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