采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善（0001）GaN表面形貌
文献类型：期刊论文
| 作者 | 钟飞1; 邱凯1; 李新化1; 尹志军1; 姬长建1; 韩奇峰1; 曹先存1; 陈家荣1; 段钺宏1; 周秀菊1 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 028 |
| 关键词 | 调制中断 表面形貌 GaN薄膜 |
| ISSN号 | 1674-4926 |
| 其他题名 | Improvement of Surface Morphology of RF MBE Grown（0001）GaN via In-Protected Growth Interruption Modulation |
| 英文摘要 | 使用分子束外延方法,采用In束流保护下的调制中断生长技术,在（0001）蓝宝石衬底上生长GaN薄膜.利用反射式高能电子衍射（RHEED）对生长进行实时监控,并用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和X射线衍射（XRD）法对GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量进行分析.实验结果表明：采用该技术生长的Ga极性GaN外延薄膜中的晶体表面残留Ga滴密度大大降低,GaN外延薄膜的表面形貌得到改善,其均方根粗糙度（RMS）由3nm降低为0.6nm,同时XRD双晶摇摆曲线测试的结果表明,GaN外延层的晶格质量也得到改善. |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:2854560 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/96856]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 作者单位 | 1.中国科学院固体物理研究所 2.中国科学院固体物理研究所 3.中国科学院固体物理研究所 4.中国科学院固体物理研究所 5.中国科学院固体物理研究所 6.中国科学院固体物理研究所 7.中国科学院固体物理研究所 8.中国科学院固体物理研究所 9.中国科学院固体物理研究所 10.中国科学院固体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 钟飞,邱凯,李新化,等. 采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善（0001）GaN表面形貌[J]. 半导体学报,2007,028. |
| APA | 钟飞.,邱凯.,李新化.,尹志军.,姬长建.,...&王玉琦.(2007).采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善（0001）GaN表面形貌.半导体学报,028. |
| MLA | 钟飞,et al."采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善（0001）GaN表面形貌".半导体学报 028(2007). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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