低能离子束对拟南芥诱变将就的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 谷运红1; 余增亮1; 秦广2; 雍裕平2 |
| 刊名 | 高技术通讯
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 13 |
| 关键词 | 离子束 拟南芥 诱变效应 |
| ISSN号 | 1002-0470 |
| 其他题名 | Study on Mutation Effect of Low Energy Ion Beam to Arabidopsis |
| 英文摘要 | 依据不同生态型的拟南芥接受不同剂量、不同能量以及不同类型离子的注入，种子成苗率受到的影响程度的不同，选定适合于拟南芥诱变、转化的离子能量和剂量。然后结合RAPD方法检测了离子女注入拟南芥种子在当代和后代中引起的变异情况，结果是离子束在当代中引起DNA水平上丰富的变异，突变频率较高，并且某些变异条带可传递至后代。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:1236343 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/97520]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 作者单位 | 1.中国科学院等离子体物理研究所 2.中国科学院等离子体物理研究所 3.郑州大学 4.郑州大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谷运红,余增亮,秦广,等. 低能离子束对拟南芥诱变将就的研究[J]. 高技术通讯,2003,13. |
| APA | 谷运红,余增亮,秦广,&雍裕平.(2003).低能离子束对拟南芥诱变将就的研究.高技术通讯,13. |
| MLA | 谷运红,et al."低能离子束对拟南芥诱变将就的研究".高技术通讯 13(2003). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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