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Yb^3+:GdGaGe2O7制备、结构及光谱性能

文献类型:期刊论文

作者宁凯杰2; 张庆礼2; 孙敦陆2; 殷绍唐2
刊名量子电子学报
出版日期2011
卷号028
关键词材料 Yb^3+:GdGaGe2O7 X射线衍射 光致发光 晶场能级
ISSN号1007-5461
其他题名Preparation,structure and spectral properties for Yb^3+:GdGaGe2O7
英文摘要采用固相法制备了10 at%Yb^3+:GdGaGe2O7多晶粉体,通过X射线粉末衍射用Rietveld全谱拟合给出了其空间群为P21/c,晶格常数a、b、c和β,Gd/Yb和Ga的原子坐标,以及Ge1、Ge2、O1~O7的原子坐标。通过吸收谱、激发谱、光致发光谱和Raman光谱确定Yb^3+的晶场能级分裂,1003 nm发光在低温(8 K)和室温(300 K)时上能级荧光寿命为0.493 ms和0.774 ms。在室温下测量荧光寿命变长主要由再吸收引起。Yb^3+:GdGaGe2O7的吸收和发射光谱均很宽,荧光寿命长,是潜在的全固态激光工作物质。
语种中文
CSCD记录号CSCD:4177327
源URL[http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/98054]  
专题中国科学院合肥物质科学研究院
作者单位1.中国科学院安徽光学精密机械研究所
2.中国科学院安徽光学精密机械研究所
3.中国科学院安徽光学精密机械研究所
4.中国科学院安徽光学精密机械研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
宁凯杰,张庆礼,孙敦陆,等. Yb^3+:GdGaGe2O7制备、结构及光谱性能[J]. 量子电子学报,2011,028.
APA 宁凯杰,张庆礼,孙敦陆,&殷绍唐.(2011).Yb^3+:GdGaGe2O7制备、结构及光谱性能.量子电子学报,028.
MLA 宁凯杰,et al."Yb^3+:GdGaGe2O7制备、结构及光谱性能".量子电子学报 028(2011).

入库方式: OAI收割

来源:合肥物质科学研究院

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