ECR—PECVD制备氮化硅薄膜的键态结构
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴先球2; 陈俊芳2; 熊予莹2; 吴开华2; 仁兆杏3 |
| 刊名 | 功能材料
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 034 |
| 关键词 | ECR－PECVD 制备 氮化硅薄膜 键态结构 |
| ISSN号 | 1001-9731 |
| 其他题名 | Bonding structure of plasma enhanced chemical vapor deposited silicon nitride thin films |
| 英文摘要 | 用红外光谱和拉曼光谱分析了用低温电子回旋共振等离子体CVD技术制备的Si3N4薄膜的键态结构。结果表明Si3N4薄膜主要由Si-N键结构组成，还含有Si-H和Si-O-Si键结构。随着沉积温度的提高，Si3N4薄膜中的Si-H键减少，氢含量降低。可利用提高沉积温度来减少Si3N4薄膜中的氢含量。在沉积温度为420℃时Si3N4薄膜的Raman光谱在短波方向出现一新的展宽的拉曼散射峰。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:1349800 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/98294]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 作者单位 | 1.华南师范大学物理系 2.华南师范大学物理系 3.华南师范大学物理系 4.华南师范大学物理系 5.中国科学院等离子体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴先球,陈俊芳,熊予莹,等. ECR—PECVD制备氮化硅薄膜的键态结构[J]. 功能材料,2003,034. |
| APA | 吴先球,陈俊芳,熊予莹,吴开华,&仁兆杏.(2003).ECR—PECVD制备氮化硅薄膜的键态结构.功能材料,034. |
| MLA | 吴先球,et al."ECR—PECVD制备氮化硅薄膜的键态结构".功能材料 034(2003). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。