杂质与缺陷对GaMnAs光学特性影响的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 钟玉杰1; 程顺昌1; 苏平1; 龚敏1; 石瑞英1; 曹先存4; 史同飞4
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| 刊名 | 光散射学报
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 021 |
| 关键词 | GaMnAs缺陷 红外光谱 光电导 |
| ISSN号 | 1004-5929 |
| 其他题名 | Studies of Optics Property Influenced by Impurity and Defects in GaMnAs |
| 英文摘要 | 提高GaMnAs材料中Mn的含量可以提高其居里温度，但随之而来也会引入很多缺陷。为了研究高含量Mn引入的缺陷对稀磁半导体材料的影响，本文对低温分子束外延技术（LT-MBE）生长的GaMnAs外延层进行了光电导以及红外等光谱的分析。通过对样品的光谱分析，发现样品中存在大量的As反位缺陷（AsGs）、Mn的间隙位缺陷（Mn1）、以及在生长和退火过程中产生的Mn以及MnAs团簇等缺陷，这些缺陷都会影响外延层的光谱特性，同时也会影响器件的电学性能。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:3690991 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/98681]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 作者单位 | 1.四川大学物理科学与技术学院微电子学系 2.中国科学院固体物理研究所 3.中国科学院固体物理研究所 4.四川大学物理科学与技术学院微电子学系 5.四川大学物理科学与技术学院微电子学系 6.四川大学物理科学与技术学院微电子学系 7.四川大学物理科学与技术学院微电子学系 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 钟玉杰,程顺昌,苏平,等. 杂质与缺陷对GaMnAs光学特性影响的研究[J]. 光散射学报,2009,021. |
| APA | 钟玉杰.,程顺昌.,苏平.,龚敏.,石瑞英.,...&史同飞.(2009).杂质与缺陷对GaMnAs光学特性影响的研究.光散射学报,021. |
| MLA | 钟玉杰,et al."杂质与缺陷对GaMnAs光学特性影响的研究".光散射学报 021(2009). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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