氮化硅钝化膜的制备和应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈俊芳2; 吴先球2; 樊双利2; 王鑫2; 任兆杏3 |
| 刊名 | 量子电子学报
 |
| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 022 |
| 关键词 | 光电子学 ECR—PECVD 氮化硅钝化膜 芯片 |
| ISSN号 | 1007-5461 |
| 其他题名 | Preparation and application of silicon nitride passivation film |
| 英文摘要 | 利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积技术在超高频大功率晶体管芯片表面沉积Si3N4钝化膜，实现了芯片的Si3N4薄膜钝化。对钝化前后的芯片测试表明，芯片经钝化后电特性有较好地改善，提高了反向击穿电压，降低了反向漏电流，提高了芯片的成品率。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:1904838 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/99234]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 作者单位 | 1.华南师范大学物理与电信工程学院 2.华南师范大学物理与电信工程学院 3.华南师范大学物理与电信工程学院 4.华南师范大学物理与电信工程学院 5.中国科学院等离子体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈俊芳,吴先球,樊双利,等. 氮化硅钝化膜的制备和应用[J]. 量子电子学报,2005,022. |
| APA | 陈俊芳,吴先球,樊双利,王鑫,&任兆杏.(2005).氮化硅钝化膜的制备和应用.量子电子学报,022. |
| MLA | 陈俊芳,et al."氮化硅钝化膜的制备和应用".量子电子学报 022(2005). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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