基于PID技术的深能级光离化截面测试方法
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王莹1; 李新化2 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 029 |
| 关键词 | 光离化截面 深能级中心 PID |
| ISSN号 | 1674-4926 |
| 其他题名 | A New Photoionization Cross Section Measurement Technique Based on PID Control |
| 英文摘要 | 在分析GaN中深能级中心与入射光子间相互作用的基础上,提出了一种基于PID（proportional-integral-derivative）技术的深能级中心光离化截面的测试方法.在针对分子束外延生长GaN材料的光离化截面测试中,使用该方法得到的测试结果同Klein等人报道的HEMTs器件中光离化谱吻合较好,表明基于PID技术的深能级中心光离化截面测试方法能够精确地测试GaN材料中深能级光离化截面.与现有技术相比,该方法的优点是操作方便、测试相对准确,可作为一种缺陷＂指纹＂鉴定的新方法应用于GaN材料的深能级研究中. |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:3376283 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/100315]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 作者单位 | 1.安徽大学电子科学与技术学院 2.中国科学院固体物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王莹,李新化. 基于PID技术的深能级光离化截面测试方法[J]. 半导体学报,2008,029. |
| APA | 王莹,&李新化.(2008).基于PID技术的深能级光离化截面测试方法.半导体学报,029. |
| MLA | 王莹,et al."基于PID技术的深能级光离化截面测试方法".半导体学报 029(2008). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。