原位退火对HVPE生长的GaN外延层光学性质和结构的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | Duan Chenghong1; Qiu Kai1; Li Xinhua1; Zhong Fei1; Yin Zhijun1; Han Qifeng1; Wang Yuqi1 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 029 |
| 关键词 | GaN 原位退火 氢化物气相外延 |
| ISSN号 | 1674-4926 |
| 其他题名 | Effects of in situ Annealing on Optical and Structural Properties of GaN Epilayers Grown by HVPE |
| 英文摘要 | 研究了原位退火对用氢化物外延方法在（0001）面蓝宝石衬底上生长的氮化镓（GaN）外延薄膜的结构和光学性能的影响．测试表明，氨气气氛下在生长温度进行的原位退火，明显提高了GaN外延膜的质量．x射线衍射（XRD）分析表明，随着原位退火时间的增加，（0002）面和（10T2）面摇摆曲线的半峰宽逐渐变窄．喇曼散射谱显示样品退火后E2（high）峰位向低频区移动；随着退火时问的延长，趋向于块状GaN的峰位．可见，原位退火使GaN外延膜中的双轴应力明显减少．光致发光的测试结果与XRD和喇曼散射谱的结论一致．表明原位退火能有效提高GaN外延膜的结构和光学性能． |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:3230253 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/101964]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 作者单位 | 1.Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences 2.Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences 3.Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences 4.Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences 5.Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences 6.Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences 7.Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Duan Chenghong,Qiu Kai,Li Xinhua,等. 原位退火对HVPE生长的GaN外延层光学性质和结构的影响[J]. 半导体学报,2008,029. |
| APA | Duan Chenghong.,Qiu Kai.,Li Xinhua.,Zhong Fei.,Yin Zhijun.,...&Wang Yuqi.(2008).原位退火对HVPE生长的GaN外延层光学性质和结构的影响.半导体学报,029. |
| MLA | Duan Chenghong,et al."原位退火对HVPE生长的GaN外延层光学性质和结构的影响".半导体学报 029(2008). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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