厚膜电容微位移传感器的非线性误差分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张早春1; 马以武1; 高理升1
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| 刊名 | 仪表技术与传感器
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 000 |
| 关键词 | 电容 位移检测 挠性形变 |
| ISSN号 | 1002-1841 |
| 其他题名 | Nonlinear Error Analysis of Thick Film Capacitor Micro Displacement Sensor |
| 英文摘要 | 分析了用于PZT形变-力传感-位移量传递模式实时检测的厚膜电容位移传感器的非线性问题,对传感器弹性膜片产生挠性形变以及位移检测带来的非线性问题做了系统的分析并给出了在小挠度形变情况下电容计算公式。仿真结果表明：在电容极板间隙为50μm、膜片厚度为0.55 mm、工作半径为10 mm、膜片中心偏移量为5μm的情况下,与普通极板电容计算公式相比,采用小挠度形变电容计算公式可使位移检测精度提高4.74%。 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:3541017 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/102145]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 作者单位 | 1.中国科学院合肥智能机械研究所 2.中国科学院合肥智能机械研究所 3.中国科学院合肥智能机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张早春,马以武,高理升. 厚膜电容微位移传感器的非线性误差分析[J]. 仪表技术与传感器,2009,000. |
| APA | 张早春,马以武,&高理升.(2009).厚膜电容微位移传感器的非线性误差分析.仪表技术与传感器,000. |
| MLA | 张早春,et al."厚膜电容微位移传感器的非线性误差分析".仪表技术与传感器 000(2009). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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