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退火对CdS/SiO2介孔组装体系吸收边的影响

文献类型:期刊论文

作者杨一军1; 阚彩侠2; 毕会娟2; 张立德2
刊名复合材料学报
出版日期2003
卷号020
关键词Cds纳米颗粒 介孔组装体系 吸收边
ISSN号1000-3851
其他题名Annealing effect on the absorption edge of CdS/SiO_2 mesoporous assembly
英文摘要本文作者通过溶胶一凝胶法获得块材CdS纳米颗粒/介孔SiO2组装体系(CdS/SiO2)块体样品,室温下的拉曼谱中观察到(2dS的两个特征峰;在氮气和空气气氛中退火处理后,发现吸收边位置随复合量和退火温度不同而移动。经计算,CdS颗粒粒径的理论值与其自由激子半径相当,说明吸收边的移动起因于量子限域效应。
语种中文
CSCD记录号CSCD:1304321
源URL[http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/102636]  
专题中国科学院合肥物质科学研究院
作者单位1.安徽淮北煤炭师范学院物理系
2.中科院固体物理研究所
3.中科院固体物理研究所
4.中科院固体物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
杨一军,阚彩侠,毕会娟,等. 退火对CdS/SiO2介孔组装体系吸收边的影响[J]. 复合材料学报,2003,020.
APA 杨一军,阚彩侠,毕会娟,&张立德.(2003).退火对CdS/SiO2介孔组装体系吸收边的影响.复合材料学报,020.
MLA 杨一军,et al."退火对CdS/SiO2介孔组装体系吸收边的影响".复合材料学报 020(2003).

入库方式: OAI收割

来源:合肥物质科学研究院

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