高功率半导体激光阵列的高温特性机理
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李波1,2; 王贞福2 ; 仇伯仓2; 杨国文1,2; 李特2; 赵宇亮1,2; 刘育衔1,2; 王刚1,2; 白少博2; 杜宇琦1,2
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2020-09-01 |
| 卷号 | 41期号:9页码:1158-1164 |
| 关键词 | 高功率半导体激光阵列 高温 微通道 电光转化效率 能量损耗分布 |
| ISSN号 | 10007032 |
| DOI | 10.37188/fgxb20204109.1158 |
| 其他题名 | Analysis on High Temperature Characteristic of High Power Semiconductor Laser Array |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 高峰值功率半导体激光阵列在高温工作条件中的应用需求日益凸显,本文以微通道封装的高峰值功率960 nm半导体激光阵列为研究对象,通过精密控温系统测试了其在10～80℃范围内峰值功率、电光转换效率、工作电压和光谱等一系列光电特性,结合理论分析,给出不同温度下电光转化效率的能量损耗分布。结果表明,工作温度从10℃升高到80℃后,电光转化效率从63.95%下降到47.68%,其中载流子泄漏损耗占比从1.93%上升到14.85%,是导致电光转换效率下降的主要因素。该研究对高峰值功率半导体激光器阵列在高温应用和激光芯片设计方面具有重要的指导意义。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93745]  |
| 专题 | 西安光学精密机械研究所_瞬态光学技术国家重点实验室 |
| 通讯作者 | 王贞福 |
| 作者单位 | 1.中国科学院大学 2.中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李波,王贞福,仇伯仓,等. 高功率半导体激光阵列的高温特性机理[J]. 发光学报,2020,41(9):1158-1164. |
| APA | 李波.,王贞福.,仇伯仓.,杨国文.,李特.,...&杜宇琦.(2020).高功率半导体激光阵列的高温特性机理.发光学报,41(9),1158-1164. |
| MLA | 李波,et al."高功率半导体激光阵列的高温特性机理".发光学报 41.9(2020):1158-1164. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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