纳米间隔层的全固态光子增强热电子发射光电转化器件
文献类型：专利
| 作者 | 杨阳; 曹伟伟; 徐鹏 ; 白永林; 秦君军; 王博; 陈震; 朱炳利; 白晓红
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| 发表日期 | 2019-12-29 |
| 专利号 | CN201911386118.1 |
| 著作权人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 本发明属于光子增强热电子发射光电转化器件，为解决真空结构的光子增强热电子发射器件在高温下工作时，工作寿命和转化效率会降低的问题，提供纳米间隔层的全固态光子增强热电子发射光电转化器件，包括吸收层、势垒层和电极层；吸收层包括长方体状的第一吸收部，第一吸收部朝向电极层的侧面设有多个第二吸收部，第二吸收部呈矩阵状排布；各第二吸收部与电极层之间分别通过势垒层相连，势垒层与第二吸收部的排布相对应；吸收层采用禁带宽度为0.8‑2.1eV的P型掺杂半导体材料，势垒层采用禁带宽度大于吸收层的半导体材料，吸收层和势垒层的异质结界面处导带能量差小于价带能量差，电极层采用金属材料，还可将上述光电转化器件采用类似串联的结构进行组装。 |
| 公开日期 | 2020-04-07 |
| 申请日期 | 2019-12-29 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/94020]  |
| 专题 | 空间科学微光探测技术研究室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨阳,曹伟伟,徐鹏,等. 纳米间隔层的全固态光子增强热电子发射光电转化器件. CN201911386118.1. 2019-12-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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