新型hollandite结构化合物BiIr4Se8单晶的生长,结构与基本物性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | Luo Lei2; Ge Min1; Yang Jun2; Gong Jixiang2; Pi Li2
|
| 刊名 | 低温物理学报
 |
| 出版日期 | 2018 |
| 卷号 | 40.0 |
| 关键词 | 晶体生长 hollandite结构 一维通道 铱化物 |
| ISSN号 | 1000-3258 |
| 其他题名 | Synthesis, Structure and Physical Properties of Single Crystal Hollandite BiIr4Se8 |
| 英文摘要 | 通过助溶剂法制得新型单晶BiIr4Se8.能量色散X射线谱确定样品元素比例约为Bi：Ir：Se≈1：4：8.利用粉末与单晶X射线衍射技术确定了单晶属于单斜晶系,具有扭曲的hollandite结构,其中的一维通道被Bi原子占据.300K以下的电阻与磁化率测试表明,样品属于半导体,且表现抗磁性.Bi在一维通道的无序暗示该材料是一种潜在的热电材料.这种结构容易受掺杂与压力的影响,为进一步探索5d过渡金属化合物中复杂的物理现象提供了良好的平台. |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:6279438 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/106283]  |
| 专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 作者单位 | 1.中国科学技术大学 2.中国科学院强磁场科学中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Luo Lei,Ge Min,Yang Jun,等. 新型hollandite结构化合物BiIr4Se8单晶的生长,结构与基本物性研究[J]. 低温物理学报,2018,40.0. |
| APA | Luo Lei,Ge Min,Yang Jun,Gong Jixiang,&Pi Li.(2018).新型hollandite结构化合物BiIr4Se8单晶的生长,结构与基本物性研究.低温物理学报,40.0. |
| MLA | Luo Lei,et al."新型hollandite结构化合物BiIr4Se8单晶的生长,结构与基本物性研究".低温物理学报 40.0(2018). |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。