溶液法制备全碳忆阻器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 竺臻楠; 胡令祥; 俞家欢; 张洪亮; 梁凌燕; 张莉; 曹鸿涛; 诸葛飞 |
| 刊名 | 材料科学与工程学报
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| 出版日期 | 2020-02-20 |
| 卷号 | 38期号:01页码:64-67 |
| 关键词 | 忆阻器 氧化石墨烯 退火处理 石墨烯电极 |
| 英文摘要 | 采用溶液法制备出石墨烯/氧化石墨烯/石墨烯(G/GO/G)全碳忆阻器,并且探究了Ar气氛环境下退火温度对石墨烯电极的影响。研究结果表明,退火处理可以在一定程度上改善石墨烯电极的电学性能。利用优化后的石墨烯电极构筑的G/GO/G全碳忆阻器具有一次写多次读的忆阻特性。 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/18909]  |
| 专题 | 2020专题_期刊论文 2020专题 |
| 作者单位 | 1.上海大学材料科学与工程学院 2.中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竺臻楠,胡令祥,俞家欢,等. 溶液法制备全碳忆阻器[J]. 材料科学与工程学报,2020,38(01):64-67. |
| APA | 竺臻楠.,胡令祥.,俞家欢.,张洪亮.,梁凌燕.,...&诸葛飞.(2020).溶液法制备全碳忆阻器.材料科学与工程学报,38(01),64-67. |
| MLA | 竺臻楠,et al."溶液法制备全碳忆阻器".材料科学与工程学报 38.01(2020):64-67. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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