硅量子点的形状及其弯曲表面效应
文献类型：期刊论文
| ; | |
| 作者 | 黄伟其; 周年杰; 尹君; 苗信建; 黄忠梅; 陈汉琼; 苏琴; 刘世荣; 秦朝建 |
| 刊名 | 物理学报
 ; 物理学报
|
| 出版日期 | 2013 ; 2013 |
| 期号 | 8页码:182-187 |
| 关键词 | 硅量子点 硅量子点 弯曲表面效应 表面键合 局域能级 弯曲表面效应 表面键合 局域能级 |
| 英文摘要 | 硅量子点的弯曲表面引起系统的对称性破缺,致使某些表面键合在能带的带隙中形成局域电子态.计算结果表明:硅量子点的表面曲率不同形成的表面键合结合能和电子态分布明显不同.例如,Si—O—Si桥键在曲率较大的表面键合能够在带隙中形成局域能级,而在硅量子点曲率较小的近平台表面上键合不会形成任何局域态,但此时的键合结合能较低.用弯曲表面效应(CS)可以解释较小硅量子点的光致荧光光谱的红移现象.CS效应揭示了纳米物理中又一奇妙的特性.实验证实,CS效应在带隙中形成的局域能级可以激活硅量子点发光. ;硅量子点的弯曲表面引起系统的对称性破缺,致使某些表面键合在能带的带隙中形成局域电子态.计算结果表明:硅量子点的表面曲率不同形成的表面键合结合能和电子态分布明显不同.例如,Si—O—Si桥键在曲率较大的表面键合能够在带隙中形成局域能级,而在硅量子点曲率较小的近平台表面上键合不会形成任何局域态,但此时的键合结合能较低.用弯曲表面效应(CS)可以解释较小硅量子点的光致荧光光谱的红移现象.CS效应揭示了纳米物理中又一奇妙的特性.实验证实,CS效应在带隙中形成的局域能级可以激活硅量子点发光. |
| 语种 | 中文 ; 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:4808684 |
| 源URL | [http://ir.gyig.ac.cn/handle/42920512-1/11096]  |
| 专题 | 地球化学研究所_矿床地球化学国家重点实验室 |
| 作者单位 | 1.贵州大学纳米光子物理研究所,光电子技术与应用省重点实验室 2.中国科学院地球化学研究所,矿床地球化学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄伟其,周年杰,尹君,等. 硅量子点的形状及其弯曲表面效应, 硅量子点的形状及其弯曲表面效应[J]. 物理学报, 物理学报,2013, 2013(8):182-187, 182-187. |
| APA | 黄伟其.,周年杰.,尹君.,苗信建.,黄忠梅.,...&秦朝建.(2013).硅量子点的形状及其弯曲表面效应.物理学报(8),182-187. |
| MLA | 黄伟其,et al."硅量子点的形状及其弯曲表面效应".物理学报 .8(2013):182-187. |
入库方式： OAI收割
来源：地球化学研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。