直流反应溅射制备ZnO:Al透明导电薄膜
文献类型：会议论文
| 作者 | 陆峰 ; 徐成海 ; 裴志亮 ; 闻立时 |
| 出版日期 | 2001-10-16 |
| 会议名称 | 中国真空学会五届三次理事会暨学术会议 |
| 会议日期 | 2001-10-16 |
| 会议地点 | 北京 |
| 关键词 | 导电薄膜 磁控溅射法 制备方法 光学性能 |
| 中文摘要 | 本文对直流磁控反应溅射法制备ZnO:Al薄膜的工艺作了具体分析,探讨了氧分压、Al含量、溅射功率和靶基距等对ZnO:Al薄膜的电学、光学性能的影响. |
| 会议主办者 | 中国真空学会 |
| 会议录 | 《真空科学与技术》/Vol.22 2002增刊
 |
| 会议录出版者 | 《真空科学与技术》杂志社 |
| 会议录出版地 | 北京 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/69960]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆峰,徐成海,裴志亮,等. 直流反应溅射制备ZnO:Al透明导电薄膜[C]. 见:中国真空学会五届三次理事会暨学术会议. 北京. 2001-10-16. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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