第一原理研究空位和Si与Al的∑5(210)[001]晶界的相互作用
文献类型：会议论文
| 作者 | 程大勇 ; 王绍青 ; 叶恒强 |
| 出版日期 | 2002-10-01 |
| 会议名称 | 2002年中国材料研讨会 |
| 会议日期 | 2002-10-01 |
| 会议地点 | 北京 |
| 关键词 | Al 晶界 第一原理 Si 空位 杂质元素 材料缺陷 |
| 中文摘要 | 在密度泛函理论框架下,用第一原理赝势方法,在Rice-Wang模型下研究了空位和杂质元素Si与Al的∑5(210)[001]晶界的相互作用.通过计算给出了偏析元素Si在晶界面上的位置.通过对含有空位的晶界模型计算给出了空位的稳定位置.同时通过对偏析元素在界面和表面的偏聚能ΔE<,gb>和ΔE<,s>的计算,表明偏析元素Si对于Al∑5(210)[001]的晶界是一种直接致脆元素. |
| 会议主办者 | 中国材料研究学会 |
| 会议录 | 2002年材料科学与工程新进展
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| 会议录出版者 | 冶金工业出版社 |
| 会议录出版地 | 北京 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/70021]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程大勇,王绍青,叶恒强. 第一原理研究空位和Si与Al的∑5(210)[001]晶界的相互作用[C]. 见:2002年中国材料研讨会. 北京. 2002-10-01. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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