半导体材料的平面波赝势方法计算设计
文献类型:会议论文
作者 | 王绍青 ; 叶恒强 |
出版日期 | 2002-10-01 |
会议名称 | 2002年中国材料研讨会 |
会议日期 | 2002-10-01 |
会议地点 | 北京 |
关键词 | 平面波赝势 固体能带 声子色散 半导体材料 计算设计 |
中文摘要 | 采用平面波赝势方法和扰动近似计算对所有可能的具有闪锌矿和纤锌矿结构的二元Ⅲ-Ⅴ与Ⅳ族半导体材料的原子结构、力学、电子与声子振动性质进行了系统研究.计算结果与已知材料的有关实验结果高精度符合,并对潜在新材料的性质进行了预测. |
会议主办者 | 中国材料研究学会 |
会议录 | 2002年材料科学与工程新进展
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会议录出版者 | 冶金工业出版社 |
会议录出版地 | 北京 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/70022] ![]() |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王绍青,叶恒强. 半导体材料的平面波赝势方法计算设计[C]. 见:2002年中国材料研讨会. 北京. 2002-10-01. |
入库方式: OAI收割
来源:金属研究所
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