斜入射对物理气相沉积铜膜结构的影响
文献类型：会议论文
| 作者 | 周耐根 ; 周浪 ; 朱圣龙 |
| 出版日期 | 2002-10-01 |
| 会议名称 | 2002年中国材料研讨会 |
| 会议日期 | 2002-10-01 |
| 会议地点 | 北京 |
| 关键词 | 入射角 分子动力学 铜薄膜 物理气相沉积 薄膜结构 |
| 中文摘要 | 运用分子动力学方法建立了溅射沉积铜薄膜外延生长的三维模型,铜原子间作用势函数采用Finnis-Sinclair型原子镶嵌法(EAM)势函数;沉积原子入射角分布采用一般金属溅射中常见的余弦分布,就入射角对薄膜结构的影响进行了模拟实验研究.结果表明:斜入射的引入都使薄膜沉积相对于简单垂直入射时表面粗糙度增大,同时堆垛密度减小,且两种入射条件下堆垛密度都随沉积层高度增加而减小,反映出典型的原子自阴影效应作用的结果;斜入射的引入还使膜内空位和孪晶缺陷增多.对斜入射和垂直入射沉积的单原子的动能、势能及其轨迹进行了跟踪分析和比较,并结合上述结果进行了讨论. |
| 会议主办者 | 中国材料研究学会 |
| 会议录 | 2002年材料科学与工程新进展
 |
| 会议录出版者 | 冶金工业出版社 |
| 会议录出版地 | 北京 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/70024]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周耐根,周浪,朱圣龙. 斜入射对物理气相沉积铜膜结构的影响[C]. 见:2002年中国材料研讨会. 北京. 2002-10-01. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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