电场对DD3单晶高温合金显微偏析的影响
文献类型:会议论文
作者 | 程根发 ; 杨院生 ; 冯小辉 ; 胡壮麒 ; 魏鹏义 |
出版日期 | 2003-09-01 |
会议名称 | 第十届全国高温合金年会 |
会议日期 | 2003-09-01 |
会议地点 | 北京 |
关键词 | 电场 显微偏析 溶质再分配 单晶高温合金 |
中文摘要 | 研究了直流电场对DD3单晶高温合金凝固显微偏析的影响.实验结果表明:在定向凝固速度为5μm/s和电流密度为0~20A/cm<'2>的条件下,随电流密度增大,胞晶或树枝晶间距减小.与不施加电场时相比,电流密度为6 A/cm<'2>时,凝固偏析明显减轻;电流密度为20 A/cm<'2>时,凝固偏析恶化.DD3单晶高温合金定向凝固过程中,由于电场的加入,引起溶质有效再分配系数的变化,减轻了凝固偏析;胞晶或树枝晶间距减小,也有利于减轻凝固偏析;胞晶间的原子团簇向胞晶侧面集聚,造成凝固偏析增大.上述因素共同作用决定了最终凝固组织的偏析. |
会议主办者 | 中国金属学会 |
会议录 | 钢铁研究学报2003第7期
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会议录出版者 | 《钢铁研究学报》编辑部 |
会议录出版地 | 北京 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/70137] ![]() |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 程根发,杨院生,冯小辉,等. 电场对DD3单晶高温合金显微偏析的影响[C]. 见:第十届全国高温合金年会. 北京. 2003-09-01. |
入库方式: OAI收割
来源:金属研究所
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