随着热敏电阻在各个应用领域的不断发展，对温度测量、传感和控制的精度要求越来越高，这就要求开发出更高温度敏感性的块体热敏材料。实验发现过渡族金属元 素掺杂的单晶硅材料具有NTC特性，掺杂硅材料具有制备工艺简单、高B低阻等优点。而掺杂杂质的能级结构直接决定材料的B值，因此掺杂元素的选择对材料的 性能具有决定性影响。本文主要采用高温扩散的方法，研究了深能级杂质Fe、Cu掺杂及多重深能级杂质掺杂硅基敏感材料的制备及热敏特性，并着重讨论了各种 扩散条件对单掺杂及多重掺杂硅材料热敏特性的影响。 1，采用过渡金属元素Fe掺杂单晶硅材料制备出了Fe掺杂硅基敏感材料。实验发现：相对于n型单晶硅，掺杂元素Fe在p型硅中具更高的活性，Fe对p型硅 宏观电阻率的影响更大。在1200℃的扩散温度下，p型硅片表面Fe浓度为1.74×10-5mol?cm-2，扩散时长为1h时，材料具有最大的补偿 度；而Fe掺杂n型硅制备的补偿材料具有线性度很好的正温特性，其电阻温度系数α约为0.70%/K。 2，对单晶硅材料掺杂深能级杂质Cu。实验发现：掺Cu的n型硅材料具有负温度敏感特性，其电学性能参数R25=1~5kΩ，B=3000~4000K。 但是掺杂Cu的硅基热敏材料一致性有待进一步提高。 3，对硅基热敏材料电极制备工艺进行了研究，实验发现化学镀Ni-P合金电极可以与n型硅材料形成良好的欧姆接触，但是与p型硅形成整流接触。 4，系统研究了多重过渡金属掺杂单晶硅材料的制备及敏感特性。实验发现，过渡金属多重掺杂硅材料有可能得到优良性能的敏感材料。本文分别研究了不同复合掺 杂杂质AuMn，AuFe及AuCu掺杂n硅材料敏感特性与扩散条件之间的关系。同时，还讨论了MnCu、MnFe及CuFe等共同掺杂p型硅材料的敏感 特性。