随着现代电子技术和通信技术的飞速发展，及电子装备小型化、轻型化、高速化、多功能、高可靠性的要求，现代电子元件正逐步向片式化、叠层化方向发展。采用叠层共烧制备的片式NTC热敏电阻具有体积小、室温电阻率低等优点，被广泛应用于电信、家用电器、汽车及医疗等领域的温度控制、温度检测、温度补偿、集成电路的保护，从而成为电子元件研究的热点。在制备叠层片式NTC热敏电阻的工艺上还需要克服这两方面的难点：1）探索均匀、致密的片式成膜工艺；2）研究低温共烧结技术。因此，本文尝试用流延成型工艺制备叠层单片式热敏电阻，及掺杂、添加助溶剂的方法降低NTC热敏陶瓷材料的烧结温度。 探索用流延成型工艺制备叠层单片式热敏电阻。先用流延工艺制备热敏陶瓷膜片，然后通过叠层、热压、切割、排粘、烧结等工艺制备叠层单片式NTC热敏电阻，最后把用流延工艺制备叠层单片式NTC热敏电阻与传统等静压工艺制备的单片式NTC热敏电阻相比较。采用XRD、SEM对其微观结构进行研究，并对两种工艺制备样品的电学特性和老化特性进行分析，结果表明：流延工艺制备的样品为尖晶石立方相，等静压工艺制备的样品为尖晶石四方相；这两种工艺均能制备性能优良的NTC热敏电阻。 为了实现NTC热敏陶瓷材料与Ag电极共烧结，本文尝试了掺杂、添加助熔剂(SiO2、PbO等)的方法，并研究了添加助熔剂对Mn-Co-Ni-O系半导体陶瓷烧结特性、显微结构及电学特性。结果表明：0-2.4wt%SiO2提高了Mn-Co-Ni-O系半导体陶瓷样品的室温电阻率和材料常数B，这一实验现象可以用“电子跃迁阻断模型”来解释：Si4+离子填充八面体间隙，占据Mn4+离子的位置，减少了与Mn3+ 离子相邻的Mn4+离子的浓度，阻断了电子从Mn3+® Mn4+的跃迁，增大了电子跃迁的激活能。在Mn-Co-Ni-O系半导体陶瓷样品中添加15wt%PbO可以使陶瓷材料的烧结温度降地到950℃以下，可以实现NTC热敏材料和内电极的共烧结，此时样品的还具有较好的老化稳定性，当该陶瓷材料的烧结温度为950℃时，该陶瓷样品的ρ25和B值分别为490Ω·cm和3969K，具有较低的ρ25和较高的B值。