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低失调电压双极运放的单粒子瞬态特性研究

文献类型:期刊论文

作者于新; 陆妩; 姚帅; 荀明珠; 王信; 李小龙; 孙静
刊名微电子学
出版日期2020
卷号50期号:2页码:281-286
关键词双极模拟集成电路 单粒子瞬态效应 等效LET 电荷收集
ISSN号1004-3365
英文摘要

在Ne、Fe、Kr、Xe、Ta五种重离子入射条件下获得了运放的SET幅值-宽度分布,发现SET脉冲具有宽、窄两种形态。在SET幅值-宽度特性基础上,采用概率密度方法获得了任意SET阈值下散射截面与LET的关系。考虑入射深度与器件敏感区域的匹配,根据产生的电荷量,可对重离子-激光的SET进行关联,以便获得等效重离子的激光能量。激光与重离子的对比试验表明,选取恰当的激光能量,能够反映重离子产生的SET幅值。研究结果为双极模拟集成电路抗SET选型评估及激光试验条件的选取提供了参考。

源URL[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/7286]  
专题新疆理化技术研究所_中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室
作者单位1.中国科学院大学
2.中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室
3.中国科学院新疆理化技术研究所特殊环境功能材料与器件重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
于新,陆妩,姚帅,等. 低失调电压双极运放的单粒子瞬态特性研究[J]. 微电子学,2020,50(2):281-286.
APA 于新.,陆妩.,姚帅.,荀明珠.,王信.,...&孙静.(2020).低失调电压双极运放的单粒子瞬态特性研究.微电子学,50(2),281-286.
MLA 于新,et al."低失调电压双极运放的单粒子瞬态特性研究".微电子学 50.2(2020):281-286.

入库方式: OAI收割

来源:新疆理化技术研究所

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