本文对采用国内现有SOI技术和工艺生产的部分耗尽（Partially Depleted,简称PD）SOI器件进行了总剂量辐照试验，研究了SOI器件的辐射响应特性和辐射损伤机制，初步探讨了SOI器件的总剂量辐射加固技术及试验方法和评判标准：根据SOI器件的结构特点，制作针对性试验单管，研究了SOI器件顶沟和背沟的总剂量辐射响应特性和损伤规律，并对总剂量辐射环境中，SOI器件顶沟和背沟相互作用关系进行了探讨； 通过对SOI器件和组成SOI器件的基本结构单元—晶体管进行总剂量辐射效应对比试验，研究了SOI器件与SOI单管总剂量辐射响应特性的相关性，探讨了结构因素在SOI器件对总剂量辐射响应中的作用； 对造成SOI器件总剂量辐射损伤的重要因素—顶沟边缘场氧（侧壁）辐射感生漏电，尝试了通过改变栅极结构加以抑制的方法，并取得了明显的效果；通过对SOI器件和电路进行不同偏置辐照、以及加固与未加固SOI器件的室温和高温退火特性，初步建立了SOI器件的总剂量试验方法和评判标准；实验还观察到了SOI单管和电路在小剂量（一般为200Gy）辐射条件下，随着辐照总剂量的增加，器件的漏电流反而出现减小的这一重要现象。这一发现为改善非辐射环境下工作的SOI器件的初始漏电特性提供了可能的有效方法，具有非常重要的意义。