InGaAs 量子阱光电材料具有暗电流小、载流子寿命长、量子效率高等独特优势，在空间红外光电领域具有良好的应用前景。由于InGaAs 材料具有优异的光学特性和电学特性，因此被广泛应用于电子器件、光电子器件以及短波红外探测器领域。随着空间技术的快速发展，基于InGaAs 量子阱材料的红外探测器及激光器已开始应用于航天工程。然而，空间辐射环境易诱发光电器件性能退化甚至失效，而量子阱结构的量子限制效应等材料特性也必然带来辐射效应新问题。因此，迫切需要研究InGaAs 量子阱光电材料的辐射损伤效应，为光电器件的研发与空间应用提供支撑。近几年来， InGaAs 量子阱光电材料的辐射损伤效应是国际上的研究热点，研究较多涉及基于量子阱结构的探测器、激光器和太阳电池在电子、质子和重粒子辐照下的损伤效应。国内对InGaAs 量子阱光电材料和器件的辐射损伤效应研究还处于探索阶段。本论文将InGaAs/InP 量子阱的测试技术和半导体辐射物理理论相结合，研究材料的辐射损伤效应与机理。对InGaAs/InP 量子阱结构进行了电子、γ、质子等不同辐射源的辐照实验。进行了能量为1MeV 和1.8MeV 的电子辐照实验，在室温下测量光致发光谱，得出量子阱的光致发光特性与辐照注量的关系，并对1MeV 下的电子辐照实验进行了室温退火，获得了电子辐照下InGaAs/InP 量子阱光学特性的辐射损伤退化规律，分析了辐射对材料的载流子动态特性和诱发缺陷的影响。对InGaAs/InP 量子阱样品进行了γ 辐照实验，选取了不同的辐照总剂量点，在室温下对光致发光谱进行了测试，获光致发光强度随辐照剂量的变化关系。对InGaAs/InP 量子阱样品进行了能量为10MeV 和3MeV 的质子辐照实验，室温下测试样品的光致发光谱，获得样品在不同辐照注量下的光致发光强度的变化趋势。同时，对比了不同能量的质子辐照条件下，样品的光致发光强度的变化，获得InGaAs/InP 量子阱结构光学特性的辐射损伤退化规律，分析了辐射对材料发光特性的影响，对辐射效应机理进行分析。综上所述，本论文对InGaAs/InP 量子阱结构开展了不同射线辐照实验，获得了不同射线下的光学特性辐射效应规律，确定了材料对不同射线辐照的敏感性，分析了辐射对材料内部载流子的运动和产生缺陷的影响，为研究InGaAs/InP 量子阱光电材料和器件的辐射效应提供理论支撑。